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详细参数

型号：SUD50N02-04P-E3

类别：FET - 单

制造商：Vishay Siliconix

封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

描述：MOSFET N-CH D-S 20V DPAK

系列：TrenchFET®

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：34A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：4.3 毫欧 @ 20A，10V

Id时的Vgs333th444111最大222：3V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：5000pF @ 10V

功率_最大：8.3W

安装类型：表面贴装

封装__外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）

包装：带卷 (TR)

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厂商：VISAY [ Vishay Siliconix ]

描述：N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET

大小：62K

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