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详细参数
型号:SUD06N10-225L-E3
类别:FET - 单
制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
描述:MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK
系列:TrenchFET®
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫欧 @ 3A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:4nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:240pF @ 25V
功率_最大:1.5W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:TO-252,(D-Pak)
包装:剪切带 (CT)
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厂 商:VISAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET
大 小:62K
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