型号:STV200N55F3
类别:FET - 单
制造商:STMicroelectronics
封装:PowerSO-10 裸露底部焊盘
描述:MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10
系列:STripFET™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:55V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:200A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:2.5 毫欧 @ 75A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:6800pF @ 25V
功率_最大:300W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
供应商设备封装:PowerSO-10
包装:带卷 (TR)
厂 商:ST [ STMICROELECTRONICS ]
描 述:SATELLITE SOUND AND VIDEO PROCESSORS
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