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详细参数
型号:STV160NF02LAT4
类别:FET - 单
制造商:STMicroelectronics
封装:PowerSO-10 裸露底部焊盘
描述:MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10
系列:STripFET™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:160A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:2.7毫欧 @ 80A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:175nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:5500pF @ 15V
功率_最大:210W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
供应商设备封装:PowerSO-10
包装:带卷 (TR)
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厂 商:ST [ STMICROELECTRONICS ]
描 述:N-CHANNEL 30V - 0.0021OHM - 160A PowerSO-10 STripFET TM POWER MOSFET
大 小:543K
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STV160NF03LA
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