型号:STS8DN3LLH5
类别:FET - 阵列
制造商:STMicroelectronics
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET 2N-CH 30V 10A SO8
系列:STripFET™
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:19 毫欧 @ 5A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:5.4nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:724pF @ 25V
功率_最大:2.7W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SO
包装:带卷 (TR)
厂 商:BOURNS [ Bourns Electronic Solutions ]
描 述:Ultraminiature Tactile Switch
大 小:308K