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详细参数
型号:STS7C4F30L
类别:FET - 阵列
制造商:STMicroelectronics
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET N+P 30V 4/7A 8-SOIC
系列:STripFET™
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:7A,4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫欧 @ 3.5A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1050pF @ 25V
功率_最大:2W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SO
包装:剪切带 (CT)
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厂 商:BOURNS [ Bourns Electronic Solutions ]
描 述:Ultraminiature Tactile Switch
大 小:308K
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查询更多STS711L1供应信息         发布时间:1970/1/1 8:00:00

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