型号:STS4C3F60L
类别:FET - 阵列
制造商:STMicroelectronics
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET N+P 60V 3A 8-SOIC
系列:STripFET™
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4A,3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:55 毫欧 @ 2A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:20.4nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1030pF @ 25V
功率_最大:2W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SO
包装:带卷 (TR)
厂 商:ST [ STMICROELECTRONICS ]
描 述:P-CHANNEL 20V - 0.06ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
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