型号：STS10DN3LH5
类别：FET - 阵列
制造商：STMicroelectronics
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
描述：MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
系列：STripFET™
FET型：2 个 N 沟道（双）
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫欧 @ 5A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：4.6nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：475pF @ 25V
功率_最大：2.5W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SO
包装：带卷 (TR)
厂 商：BOURNS [ Bourns Electronic Solutions ]
描 述：Ultraminiature Tactile Switch
大 小：308K
QQ：2881501652 复制
