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型号：  厂家：  批号：  封装：  精确搜索 
详细参数
型号：STP200N4F3
类别：FET - 单
制造商：STMicroelectronics
封装：TO-220-3
描述：MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
系列：STripFET™
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：40V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：120A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：4.4毫欧 @ 80A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：75nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：5100pF @ 25V
功率_最大：300W
安装类型：通孔
封装__外壳：TO-220-3
供应商设备封装：TO-220-3
包装：管件
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STP28N65M2 PDF下载
厂 商：ST [ STMICROELECTRONICS ]
描 述：2kV NPN Darlington transistor
大 小：82K
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STM
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