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详细参数
型号:STL80N3LLH6
类别:FET - 单
制造商:STMicroelectronics
封装:8-PowerVDFN
描述:MOSFET N-CH 30V 21A POWERFLAT
系列:STripFET™ DeepGATE™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:80A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:5.2 毫欧 @ 10.5A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1690pF @ 25V
功率_最大:60W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-PowerVDFN
供应商设备封装:PowerFlat?(5x6)
包装:剪切带 (CT)
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厂 商:ST [ STMICROELECTRONICS ]
描 述:N-channel 30V - 0.012ohm - 8A - PowerFLAT Ultra low gate charge STripFET Power MOSFET
大 小:292K
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