型号:STE110NS20FD
类别:FET
制造商:STMicroelectronics
封装:ISOTOP
描述:MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP
系列:MESH OVERLAY™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:110A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:24 毫欧 @ 50A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:504nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:7900pF @ 25V
功率_最大:500W
安装类型:底座安装
封装__外壳:ISOTOP
供应商设备封装:ISOTOP?
包装:管件
厂 商:ST [ STMICROELECTRONICS ]
描 述:N-CHANNEL 200V - 0.022W - 110A ISOTOP MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET
大 小:284K