型号:STD8NM60ND
类别:FET - 单
制造商:STMicroelectronics
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
描述:MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
系列:FDmesh™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:600V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:7A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:700 毫欧 @ 3.5A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:560pF @ 50V
功率_最大:70W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:Digi-Reel®
厂 商:Sirectifier [ Sirectifier Semiconductors ]
描 述:晶闸管(可控硅)Thyristors (SCRs),晶闸管/二极管模块Thyristor-Diode Modules。
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