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详细参数
型号:STD3NM60-1
类别:FET - 单
制造商:STMicroelectronics
封装:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
描述:MOSFET N-CH 600V 3A IPAK
系列:MDmesh™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:600V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:1.5 欧姆 @ 1.5A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:324pF @ 25V
功率_最大:42W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
供应商设备封装:I-Pak
包装:管件
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厂 商:ST [ STMICROELECTRONICS ]
描 述:N-CHANNEL 600V - 1.3ohm - 3A TO-220/DPAK/IPAK Zener-Protected MDmesh⑩Power MOSFET
大 小:562K
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STD3NM60-1
ST
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2800
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STD3NM60-1
STM
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1393
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STD3NM60-1
STMicroelectronics
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STD3NM60-1
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ST
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VB
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