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详细参数
型号:STC6NF30V
类别:FET - 阵列
制造商:STMicroelectronics
封装:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP
系列:STripFET™
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫欧 @ 3A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:600mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:9nC @ 2.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:800pF @ 25V
功率_最大:1.5W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装:8-TSSOP
包装:剪切带 (CT)
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厂 商:ETC [ ETC ]
描 述:VERY LOW POWER VOLTAGE CMOS SRAM
大 小:447K
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