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详细参数
型号:STB80N20M5
类别:FET - 单
制造商:STMicroelectronics
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
描述:MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK
系列:MDmesh™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:61A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:23 毫欧 @ 30.5A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:104nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:4329pF @ 50V
功率_最大:190W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:D2PAK
包装:Digi-Reel®
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厂 商:IBM [ IBM MICROELECTRONICS ]
描 述:STB0210x Digital Set-Top Box Intergrated Controllers
大 小:90K
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查询更多STB85NF03LL供应信息         发布时间:1970/1/1 8:00:00

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