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详细参数

型号：STB60N55F3

类别：FET - 单

制造商：STMicroelectronics

封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

描述：MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

系列：STripFET™

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：55V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫欧 @ 32A，10V

Id时的Vgs333th444111最大222：4V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：2200pF @ 25V

功率_最大：110W

安装类型：表面贴装

封装__外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商设备封装：D2PAK

包装：Digi-Reel®

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厂商：ST [ STMICROELECTRONICS ]

描述：N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 5.8A - D2PAK/I2PAK PowerMESH MOSFET

大小：94K

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经营业务:电阻电容、世界各名厂IC，我们所销售产品涉及：ATMEL（爱特梅尔） STC单片机 ALTERA（阿特拉）英特尔（Intel）、德州仪器（TI）、飞利浦（Philips）、海力士（Hynix）、美国仿真器件（ADI）、国际整流器（IR）、台湾硅成（ICSI）、三星（Samsung）、瑞萨（Renesas）、东芝（Toshiba）、意法（ST）、摩托罗拉（Motorola）、仙童（Fairchid）、美国美商半导体（AMD）、爱特梅尔（Atmel）、惠普（HP）、安捷伦（Agilent）、达拉斯（Dallas）、美信（Maxim）、纳斯达克（Altera）、赛普拉斯（CY）、日立（Hitachi）、Broadcom、Xilinx、哈利斯（Harrsi）、英赛尔（Intersil）、美国集成器件（IDT）、芯成（ISSI）、凌特（Linear）、美国LSI逻辑公司（LSI）、微芯（Microchip）、三菱（Mitsubishi）、美国国家半导体（NS）、日本冲电气（OKI）、Realtek、罗姆（Rohm）、三洋（Sanyo）、索尼（Sony）等…

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销售IC及电子器件： MCU、运算放大器、逻辑电路、接口电路、电源电路、编解码器、通讯电路、传感器、显示电路、存储器、可编程逻辑IC、功率驱动器、DSP、IGBT、光感器件、固态继电器主要品牌：FREESCAIE、INFINEON、IDT、MAXIM、ADI、AGILENT、ALLEGRO、NS、AMD、XILINX、ST、ALTERA、ATMEL、ZILOG、INTERPOINT、IR、TI、SHARP 被动器件：电容、电阻、电感、二极管、。。。

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