型号:STB11NM60FDT4
类别:FET - 单
制造商:STMicroelectronics
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
描述:MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
系列:FDmesh™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:600V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:450 毫欧 @ 5.5A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:40nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:900pF @ 25V
功率_最大:160W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:D2PAK
包装:带卷 (TR)
厂 商:ST [ STMICROELECTRONICS ]
描 述:N-CHANNEL 600V - 0.40ohm - 11A TO-220 / TO-220FP/I2PAK FDmesh?Power MOSFET with FAST DIODE
大 小:340K