型号:STB10NK60Z-1
类别:FET - 单
制造商:STMicroelectronics
封装:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
描述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
系列:SuperMESH™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:600V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:750 毫欧 @ 4.5A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:70nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1370pF @ 25V
功率_最大:115W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装:I2PAK
包装:管件
厂 商:ST [ STMICROELECTRONICS ]
描 述:N-CHANNEL 600V-0.65ohm-10A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
大 小:700K