型号：SQM110N04-02L-GE3
类别：FET - 单
制造商：Vishay Siliconix
封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
描述：MOSFET N-CH D-S 40V TO263
系列：TrenchFET®
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：40V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：120A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：2.3 毫欧 @ 30A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：250nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：9000pF @ 25V
功率_最大：375W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：TO-263（D2Pak）
包装：带卷 (TR)
厂 商：VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述：N-Channel 330 V (D-S) 175 Celsius MOSFET
大 小：180K
