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详细参数
型号:SQ9945AEY-T1-E3
类别:FET - 阵列
制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET DUAL N-CH 60V PPAK 8SOIC
系列:TrenchFET®
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.7A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫欧 @ 3.7A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:-
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:带卷 (TR)
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厂 商:SEMICOA [ Semicoa Semiconductor ]
描 述:Chip Type 2C918 Geometry 0013 Polarity NPN
大 小:31K
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