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详细参数
型号:SPP20N60CFD
类别:FET - 单
制造商:Infineon Technologies
封装:TO-220-3
描述:MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
系列:CoolMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:650V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:20.7A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:220 毫欧 @ 13.1A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:124nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 25V
功率_最大:208W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-220-3
供应商设备封装:PG-TO220-3
包装:管件
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厂 商:INFINEON [ INFINEON ]
描 述:Cool MOS⑩ Power Transistor
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SPP20N60CFD
INFINEON/英飞凌
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INFINEON/英飞凌
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SPP20N60CFD
Infineon(英飞凌)
22+
159699
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SPP20N60CFD
Infineon Technologies
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