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详细参数
型号:SPP02N60C3
类别:FET - 单
制造商:Infineon Technologies
封装:TO-220-3
描述:MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB
系列:CoolMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:650V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:3 欧姆 @ 1.1A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:3.9V @ 80µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:12.5nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:200pF @ 25V
功率_最大:25W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-220-3
供应商设备封装:PG-TO220-3
包装:管件
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厂 商:WELWYN [ Welwyn Components Limited ]
描 述:General Purpose Wirewound Resistors
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Xilinx、ALTERA、Linear、Atmel、ADI 、Microchip、TI 、Fairchid、IR、ST、Maxim、Intel 、Philips 、Toshiba、NS、ON......
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Infineon
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主要从事半导体元器件(集成电路IC和电子元器件)XILINX(赛灵思)、ALTERA(阿尔特拉)、SAMSUNG(三星) 、MICRON(镁光)、SK HYNIX(海力士)产品的销售、研发,
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芯脉实业优势品牌:Fujitsu(富士通)、TI(德州仪器)、MAXIM(美信)、ADI(亚德诺)、INTEL(英特尔)、ON(安美森)、ST(意法)、NXP(恩智浦)、TOSHIBA(东芝)、DIODES(美台) 、RENESAS(瑞萨)、VITESSE、MEDIATEK(联发科)、XILINX(赛灵思)、ALTERA(阿尔特拉)、SAMSUNG(三星) 、MICRON(美光)、SK HYNIX(海力士)、NANYA 、BROADCOM (博通)、ISSI、POWER、DAVICOM(联杰国际)、PLX(PLX技术公司)、CYPRESS(赛普拉斯)、MARVELL(美满)、AOS(万代)、FAIRCHILD(仙童)、IR(国际整流器)、FREESCALE(飞思卡尔)、AVAGO(安华高)、ROHM(罗姆)、LINEAR(凌特)、 ATMEL(爱特梅尔)、IDT(艾迪悌)、INFINEON(英飞凌)、VISHAY(威士)、LATTICE(莱迪斯)等优势品牌。
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