SPD09P06PLGBTMA1参数(2020年),SPD09P06PLGBTMA1中文资料,SPD09P06PLGBTMA1供应商,SPD09P06PLGBTMA1最新价格,SPD09P06PLGBTMA1货源信息,pdf资料【51电子网】

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详细参数

型号：SPD01N60C3

类别：FET - 单

制造商：Infineon Technologies

封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

描述：MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252

系列：CoolMOS™

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：650V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：800mA

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：6 欧姆 @ 500mA，10V

Id时的Vgs333th444111最大222：3.9V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：100pF @ 25V

功率_最大：11W

安装类型：表面贴装

封装__外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：PG-TO252-3

包装：Digi-Reel®

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厂商：SANYO [ Sanyo Semicon Device ]

描述：C to Ku Band Mixer, Detector, Modulator Applications

大小：63K

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