型号:SIZ900DT-T1-GE3
类别:FET - 阵列
制造商:Vishay Siliconix
封装:*
描述:MOSFET N-CH 30V DS POWERPAIR 6X5
系列:TrenchFET®
FET型:2 N 沟道(双)非对称型
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:24A, 28A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:5.9 mOhm @ 19.4A, 10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1830pF @ 15V
功率_最大:4.6W, 5.2W
安装类型:*
封装__外壳:*
供应商设备封装:*
包装:*
厂 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs
大 小:275K