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详细参数
型号:SIZ920DT-T1-GE3
类别:FET - 阵列
制造商:Vishay Siliconix
封装:6-PowerPair?
描述:MOSFET N-CH 30V D-S DUAL PWRPAIR
系列:TrenchFET®
FET型:2 个 N 通道(半桥)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:40A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:7.1 毫欧 @ 18.9A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1260pF @ 15V
功率_最大:39W,100W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:6-PowerPair?
供应商设备封装:6-PowerPair?
包装:剪切带 (CT)
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厂 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs
大 小:275K
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SIZ920DT-T1-GE3
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