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详细参数

型号：SIZ704DT-T1-GE3

类别：FET - 阵列

制造商：Vishay Siliconix

封装：6-PowerPair?

描述：MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 1212-8

系列：TrenchFET®

FET型：2 N 沟道（双）非对称型

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A，16A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫欧 @ 7.8A，10V

Id时的Vgs333th444111最大222：2.5V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：435pF @ 15V

功率_最大：20W，30W

安装类型：表面贴装

封装__外壳：6-PowerPair?

供应商设备封装：6-PowerPair?

包装：*

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厂商：VISHAY [ Vishay Siliconix ]

描述：N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs

大小：164K

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