型号：SIS902DN-T1-GE3
类别：FET - 阵列
制造商：Vishay Siliconix
封装：PowerPAK? 1212-8 双
描述：MOSFET N-CH D-S 75V 1212-8 PPAK
系列：TrenchFET®
FET型：2 个 N 沟道（双）
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：75V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：186 毫欧 @ 3A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：175pF @ 38V
功率_最大：15.4W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：PowerPAK? 1212-8 双
供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8 Dual
包装：剪切带 (CT)
厂 商：SANYO [ Sanyo Semicon Device ]
描 述：Black and White Image Sensor Camera Module
大 小：82K
