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详细参数
型号:SIS890DN-T1-GE3
类别:FET - 单
制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? 1212-8
描述:MOSFET N-CH 100V D-S 1212-8
系列:TrenchFET®
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:23.5 毫欧 @ 10A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:802pF @ 50V
功率_最大:52W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
包装:Digi-Reel®
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厂 商:SANYO [ Sanyo Semicon Device ]
描 述:Black and White Image Sensor Camera Module
大 小:82K
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销售电子物料:集成IC,单片机,存储器,桥堆,电源模块,连接器,继电器,二极管,三极管,可控硅,电感,电阻电容....
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联系人:许S/林S/姚S/郑S/
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