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详细参数
型号:SIS402DN-T1-GE3
类别:FET - 单
制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? 1212-8
描述:MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:35A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:6 毫欧 @ 19A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:42nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1700pF @ 15V
功率_最大:5.2W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
包装:Digi-Reel®
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厂 商:SANYO [ Sanyo Semicon Device ]
描 述:Black and White Image Sensor Camera Module
大 小:82K
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深圳德田科技有限公司
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SIS426DN-T1-GE3CT
VISHAY/威世
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