型号:SIS412DN-T1-GE3
类别:FET - 单
制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? 1212-8
描述:MOSFET N-CH D-S 30V 1212-8 PPAK
系列:TrenchFET®
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:24 毫欧 @ 7.8A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:435pF @ 15V
功率_最大:15.6W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
包装:剪切带 (CT)
厂 商:SANYO [ Sanyo Semicon Device ]
描 述:Black and White Image Sensor Camera Module
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