SIS410DN-T1-GE3参数(2020年),SIS410DN-T1-GE3中文资料,SIS410DN-T1-GE3供应商,SIS410DN-T1-GE3最新价格,SIS410DN-T1-GE3货源信息,pdf资料【51电子网】

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详细参数

型号：SIS410DN-T1-GE3

类别：FET - 单

制造商：Vishay Siliconix

封装：PowerPAK? 1212-8

描述：MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 1212-8

系列：TrenchFET®

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：35A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：4.8 毫欧 @ 20A，10V

Id时的Vgs333th444111最大222：2.5V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 10V

功率_最大：52W

安装类型：表面贴装

封装__外壳：PowerPAK? 1212-8

供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8

包装：剪切带 (CT)

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厂商：SANYO [ Sanyo Semicon Device ]

描述：Black and White Image Sensor Camera Module

大小：82K

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SiS410DN-T1-GE3

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SIS410DN-T1-GE3

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销售电子物料:集成IC，单片机，存储器，桥堆，电源模块，连接器，继电器，二极管，三极管，可控硅，电感，电阻电容....

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本公司专业为民用、工业、军品级、偏冷门集成电路、航天、测井仪器等提供全方位的服务。并在通信业、船舶工业、自动化控制、军用科研、电力安防、网络通讯、工控仪器、航天航空、医疗设备、汽车电子、消费类电子等领域拥有良好的商业信誉和强大的配套能力，经营的品牌有 AMD、ADI、DALLAS、 ALTERA、XILINX、TI/BB、MAXIN、NS、HYINX、SAMSUNG、ATMEL、BROADCOM、WINBONG、INTERSIL、LATTICE 、Fairchild、ON、TOSHIB、NXP、LINER、INFINEON、IOR、ST、FUJITSU、ROHM、VISHAY、MURATA、HITACHI、CYPRESS、ANPEC、SANYO、NEC、FREESCALE、EPSON、SHARP、AVAGO、PANASONI、AIC、EUPEC、CITIZEN、MITSUBISHI、ALLEGRO、SST、ISSI、MICROCHIP、ZETEX、TOREX、KOA、ISD、TDK、WOLFSON、REALTEK、RAMTRON、DIODES等。

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SiS410DN-T1-GE3

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专业代理分销各类电子元件类产品。公司主营品牌:TI,MAXIM,AD,ON，ALTERA，ST、DALLAS，IR,SST、ATMEL、TDK,DIODES、SAMSUNG ,PERICOM, Freescale以及二三极管、模块、继电器等,其品牌主要产品广泛应用于航天、汽车、通讯、电脑、家电、电子设备、仪器仪表等各种领域。

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SIS410DN-T1-GE3

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