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详细参数
型号:SIR800DP-T1-GE3
类别:FET - 单
制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? SO-8
描述:MOSFET N-CH 20V 8-SOIC
系列:TrenchFET®
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:50A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:2.3 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:133nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:5125pF @ 10V
功率_最大:69W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:PowerPAK? SO-8
供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
包装:带卷 (TR)
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厂 商:EVERLIGHT [ EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD ]
描 述:Chip Infrared LED With Right Angle Lens
大 小:213K
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