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详细参数

型号：SIR402DP-T1-GE3

类别：FET - 单

制造商：Vishay Siliconix

封装：PowerPAK? SO-8

描述：MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 8SOIC

系列：-

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：35A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫欧 @ 20A，10V

Id时的Vgs333th444111最大222：2.2V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 15V

功率_最大：36W

安装类型：表面贴装

封装__外壳：PowerPAK? SO-8

供应商设备封装：PowerPAK? SO-8

包装：Digi-Reel®

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厂商：EVERLIGHT [ EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD ]

描述：Chip Infrared LED With Right Angle Lens

大小：213K

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