型号：SIF912EDZ-T1-E3
类别：FET - 阵列
制造商：Vishay Siliconix
封装：PowerPAK? 2x5
描述：MOSFET N-CH 30V 2X5 6-POWERPAK
系列：TrenchFET®
FET型：2 个 N 沟道（双）
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫欧 @ 7.4A，4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222：1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：1.6W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：PowerPAK? 2x5
供应商设备封装：PowerPAK?（2x5）
包装：剪切带 (CT)
厂 商：VISAY [ Vishay Siliconix ]
描 述：Bi-Directional N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
大 小：67K
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