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详细参数
型号:SIF902EDZ-T1-E3
类别:FET - 阵列
制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? 2x5
描述:MOSFET N-CH 20V 2X5 6-POWERPAK
系列:TrenchFET®
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:7A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫欧 @ 7A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.6W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:PowerPAK? 2x5
供应商设备封装:PowerPAK?(2x5)
包装:剪切带 (CT)
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厂 商:MINI [ MINI-CIRCUITS ]
描 述:50ヘ Constant Impedance 35 to 49 MHz
大 小:84K
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查询更多SIF906EDZ-T供应信息         发布时间:1970/1/1 8:00:00

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