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详细参数

型号：SIE854DF-T1-GE3

类别：FET - 单

制造商：Vishay Siliconix

封装：10-PolarPAK?（L）

描述：MOSFET N-CH D-S 100V POLARPAK

系列：TrenchFET®

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：100V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：60A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：14.2 毫欧 @ 13.2A，10V

Id时的Vgs333th444111最大222：4.4V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：75nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：3100pF @ 50V

功率_最大：125W

安装类型：表面贴装

封装__外壳：10-PolarPAK?（L）

供应商设备封装：10-PolarPAK?（L）

包装：剪切带 (CT)

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厂商：POWER-ONE [ Power-One ]

描述：SIP/SIE 500 NON-ISOLATED SERIES

大小：424K

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SIE854DF-T1-GE3

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SIE854DF-T1-GE3

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