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型号：  厂家：  批号：  封装：  精确搜索 
详细参数
型号：SIE836DF-T1-E3
类别：FET - 单
制造商：Vishay Siliconix
封装：10-PolarPAK?（SH）
描述：MOSFET N-CH D-S 200V POLARPAK
系列：TrenchFET®
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：18.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫欧 @ 4.1A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：4.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 100V
功率_最大：104W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：10-PolarPAK?（SH）
供应商设备封装：10-PolarPAK?（SH）
包装：带卷 (TR)
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SIE836DF-T1-E3 PDF下载
厂 商：POWER-ONE [ Power-One ]
描 述：SIP/SIE 500 NON-ISOLATED SERIES
大 小：424K
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Vishay/Siliconix
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VISHAY/威世
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