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详细参数
型号:SIB800EDK-T1-GE3
类别:FET - 单
制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? SC-75-6L
描述:MOSFET N-CH 20V 1.5A SC75-6
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:二极管(隔离式)
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:225 毫欧 @ 1.6A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.7nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:3.1W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:PowerPAK? SC-75-6L
供应商设备封装:PowerPAK? SC-75-6L 单
包装:Digi-Reel®
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厂 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:N-Channel 12 V (D-S) MOSFET
大 小:198K
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