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详细参数
型号:SIB406EDK-T1-GE3
类别:FET - 单
制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? SC-75-6L
描述:MOSFET N-CH D-S 20V SC-75-6
系列:TrenchFET®
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:46 毫欧 @ 3.9A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1.4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 10V
功率_最大:10W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:PowerPAK? SC-75-6L
供应商设备封装:PowerPAK? SC-75-6L 单
包装:带卷 (TR)
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厂 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:N-Channel 12 V (D-S) MOSFET
大 小:198K
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查询更多SIB456D供应信息         发布时间:1970/1/1 8:00:00

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