型号:SIA910EDJ-T1-GE3
类别:FET - 阵列
制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? SC-70-6 双
描述:MOSFET N-CH 12V ESD SC-70-6
系列:TrenchFET®
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:12V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫欧 @ 5.2A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 8V
输入电容333Ciss4440a0Vds:455pF @ 10V
功率_最大:7.8W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:PowerPAK? SC-70-6 双
供应商设备封装:PowerPAK? SC-70-6 双
包装:Digi-Reel®
厂 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:Dual N-Channel 12-V (D-S) MOSFET
大 小:140K