型号：SI8902EDB-T2-E1
类别：FET - 阵列
制造商：Vishay Siliconix
封装：6-MICRO FOOT?CSP
描述：MOSFET BIDIR N-CH 20V 2X3 6-MFP
系列：TrenchFET®
FET型：2 个 N 沟道（双）
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.9A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 1A，4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222：1V @ 980µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
输入电容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：1W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：6-MICRO FOOT?CSP
供应商设备封装：6-Micro Foot?
包装：剪切带 (CT)
厂 商：VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述：Bi-Directional N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
大 小：210K
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