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型号:  厂家:  批号:  封装:  精确搜索 
详细参数
型号:SI7945DP-T1-GE3
类别:FET - 阵列
制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? SO-8
描述:MOSFET DL P-CH 30V PPAK 8-SOIC
系列:-
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:7A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫欧 @ 10.9A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:74nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.4W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:PowerPAK? SO-8
供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
包装:Digi-Reel®
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厂 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:N-Channel 12-V (D-S) MOSFET
大 小:595K
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SI7945DP-T1-GE3
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