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详细参数
型号:SI7900AEDN-T1-E3
类别:FET - 阵列
制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? 1212-8
描述:MOSFET DUAL N-CH 20V 1212-8
系列:TrenchFET®
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫欧 @ 8.5A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:900mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.5W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
包装:剪切带 (CT)
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厂 商:VISAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
大 小:281K
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