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详细参数
型号:SI7940DP-T1-E3
类别:FET - 阵列
制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? SO-8 双
描述:MOSFET 2N-CH 12V 7.6A 8SOIC
系列:TrenchFET®
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:12V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:17 毫欧 @ 11.8A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.4W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:PowerPAK? SO-8 双
供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 Dual
包装:带卷 (TR)
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厂 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:N-Channel 12-V (D-S) MOSFET
大 小:595K
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