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型号：  厂家：  批号：  封装：  精确搜索 
详细参数
型号：SI7452DP-T1-E3
类别：FET - 单
制造商：Vishay Siliconix
封装：PowerPAK? SO-8
描述：MOSFET N-CH D-S 60V PPAK 8SOIC
系列：TrenchFET®
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：11.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：8.3 毫欧 @ 19.3A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：4.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：1.9W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：PowerPAK? SO-8
包装：带卷 (TR)
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SI7452DP-T1-E3 PDF下载
厂 商：VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述：N-Channel 12-V (D-S) MOSFET
大 小：595K
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