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详细参数
型号:SI7119DN-T1-GE3
类别:FET - 单
制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? 1212-8
描述:MOSFET P-CH D-S 200V 1212-8 PPAK
系列:TrenchFET®
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:1.05 欧姆 @ 1A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:666pF @ 50V
功率_最大:52W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
包装:剪切带 (CT)
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厂 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:N-Channel 12-V (D-S) MOSFET
大 小:595K
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