型号:SI5975DC-T1-E3
类别:FET - 阵列
制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SMD,扁平引线
描述:MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
系列:TrenchFET®
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:12V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.1A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:86 毫欧 @ 3.1A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:450mV @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:9nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.1W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SMD,扁平引线
供应商设备封装:1206-8 ChipFET?
包装:带卷 (TR)
厂 商:ETC [ ETC ]
描 述:OC-12/3, STM-4/1 SONET/SDH CLOCK AND DATA RECOVERY IC
大 小:294K