型号:SI5906DU-T1-GE3
类别:FET - 阵列
制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? CHIPFET? 双
描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
系列:TrenchFET®
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫欧 @ 4.8A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.6nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:300pF @ 15V
功率_最大:10.4W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:PowerPAK? CHIPFET? 双
供应商设备封装:PowerPAK? ChipFet 双
包装:剪切带 (CT)
厂 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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