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型号：  厂家：  批号：  封装：  精确搜索 
详细参数
型号：SI5504BDC-T1-E3
类别：FET - 阵列
制造商：Vishay Siliconix
封装：8-SMD，扁平引线
描述：MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8
系列：TrenchFET®
FET型：N 和 P 沟道
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A，3.7A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫欧 @ 3.1A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：220pF @ 15V
功率_最大：3.12W，3.1W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：8-SMD，扁平引线
供应商设备封装：1206-8 ChipFET?
包装：带卷 (TR)
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SI5513DC PDF下载
厂 商：VISAY [ Vishay Siliconix ]
描 述：Complementary 20-V (D-S) MOSFET
大 小：85K
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