型号:SI5499DC-T1-GE3
类别:FET - 单
制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SMD,扁平引线
描述:MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
系列:TrenchFET®
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:8V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:36 毫欧 @ 5.1A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:800mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 8V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1290pF @ 4V
功率_最大:6.2W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SMD,扁平引线
供应商设备封装:1206-8 ChipFET?
包装:带卷 (TR)
厂 商:ETC [ ETC ]
描 述:OC-12/3, STM-4/1 SONET/SDH CLOCK AND DATA RECOVERY IC
大 小:294K